article sur le Circuit intégré, Explication sur le Circuit intégré

Circuit intégré Article, Signification, Explication

        

Table of contents
1 Généralités
2 Apparence
3 Composants internes
4 Échelle d'intégration
5 Fabrication des circuits intégrés
6 Technologies spécialisées
7 Voir aussi

Généralités

Le circuit intégré (CI) (ou la puce électronique) est un composant électronique reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, en intégrant souvent plusieurs types de composants dans un volume réduit et facile à mettre en œuvre.
Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.

Circuit intégré analogique

Les composants les plus simples peuvent être de simples transistors encapsulés les uns à côté des autres sans liaison entre eux, jusqu'à des assemblages réunissant toutes les fonctions requises pour le fonctionnement de l'appareil dont il est le seul composant.

Les amplificateurs opérationnels sont des représentants plus complexes de cette famille où l'on retrouve aussi des composants réservés à l'électronique haute fréquence et de télécommunication.

Circuit intégré numérique

Les circuits intégrés numériques les plus simples sont des portes logiques simples (et, ou, non), les plus compliqués sont les microprocesseurs et les plus denses sont les mémoires. On trouve de nombreux circuits intégrés dédiés à des applications spécifiques, notamment pour le traitement du signal (traitement d'image, compression vidéo...) on parle alors de DSP (pour Digital Signal Processor). Une famille importante de circuits intégrés est celle des composants de logique programmable (FPGA, CPLD). Ces composants sont amenés à remplacer les portes logiques simples en raison de leur grande densité d'intégration.

Apparence

Les circuits intégrés vendus se présentent généralement sous la forme de boîtiers pleins rectangulaires noirs. Ils sont équipés sur le ou les côtés de broches/pattes/pins qui permettent d'établir des connexions. Ces composants sont généralement soudés ou enfichés dans des supports pour démontage, sur un circuit imprimé. En général, une référence sur le dessus du boîtier indique le nom du constructeur, la référence permettant d'identifier le composant, un code correspondant à des variantes ou révisions et enfin la date de fabrication (4 chiffres codés AASS : année et semaine). Les progrès de l'intégration sont tels que les circuits intégrés deviennent très petits. Leur taille ne dépend guère plus que de la capacité du boitier à dissiper la chaleur produite et bien souvent de l'espace inter-broche et de la taille des broches de sortie du circuit.

Composants internes

Un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées principalement des transistors, des diodes, parfois même des résistances, des condensateurs et des inductances (bobines) mais plus rarement car elles prennent plus de place sur le silicium...

Échelle d'intégration

L'échelle d'intégration défini le nombre de portes par boîtier : Ces distinctions ont peu à peu perdu leur utilité avec la croissance considérable du nombre de portes. Aujourd'hui plusieurs centaines de millions de transistors (plusieurs dizaines de millions de portes) représente un chiffre normal (pour un microprocesseur ou un circuit intégré graphique haut de gamme).

Fabrication des circuits intégrés

La fabrication d'un circuit intégré est un procédé complexe dont la tendance est à se compliquer de plus en plus.
  • Le motif de base est le transistor, et ce sont ensuite les interconnexions métalliques entre les transistors qui réalisent la fonction particulière du circuit.
  • L'aluminium est souvent employé dans ce but, mais une technologie plus performante permet l'emploi du cuivre.
  • On utilise parfois du silicium polycristallin, également conducteur, notamment pour la grille du transistor.

Matière première

Néanmoins, d'autres matériaux sont parfois employés, comme le germanium ou l'arséniure de gallium.

La photolithogravure

Ce procédé est actuellement le plus répandu.

Etapes de fabrication

Le nombre d'étapes de la fabrication des circuits intégrés a cru considérablement depuis 20 ans. Il peut atteindre plusieurs dizaines pour certaines productions spécialisées. Toutefois, on retrouve à peu près toujours la même série d'étapes :
  • Préparation de la couche : On expose le wafer à du dioxygène pur après chauffage pour fabriquer une couche d'oxyde (isolant) en surface, ensuite le wafer est recouvert d'un vernis photosensible.
  • Transfert : On transfère le dessin du circuit à reproduire sur la surface photosensible à l'aide d'un masque, comme pour la peinture au pochoir, en l'exposant aux ultraviolets, (ou aux rayons X, pour les gravures les plus fines). Le vernis non soumis aux rayonnement est dissous grâce à un solvant spécifique.
  • Gravure : L'oxyde de silicium est donc protégé par le vernis aux endroits exposés aux ultraviolets. Un agent corrosif va creuser la couche d'oxyde aux endroits non protégés.
  • Dopage : On dissout ensuite le verni exposé avec un autre solvant et, des ions métalliques, appelés dopants, sont introduits dans le silicium exposé là où l'oxyde a été creusé, afin de le rendre conducteur.
  • Couche suivante : L'opération est renouvelée pour créer les couches successives du circuit intégré ou du microprocesseur (jusqu'à 20).
  • On détermine la qualité de la gravure selon le plus petit motif qu'il est possible de graver, en l'occurrence la largeur de la grille du transistor MOS. En 2004, les gravures les plus fines en production sont 0,13µm (ou 130nm) et 90nm.

Phases finales

  • On dépose une pellicule métallique aux endroits où le circuit devra être en contact avec les broches de sortie.
  • Les circuits intégrés sont testés directement sur le wafer. Les puces défectueuses sont marquées.
  • Le wafer est finalement découpé au diamant.
  • Les puces ainsi obtenues sont insérées dans un boitier individuel de protection et reliées aux broches qui vont leur permettre de communiquer avec l'extérieur.
  • Des tests de validation sévères et individuels sont alors entrepris pour qualifier les microprocesseurs, en fréquence et en température.

Technologies spécialisées

Certaines techniques sont aussi utilisées pour des circuits intégrés de type un peu spécialisé.

Silicium sur isolant

La technologie (silicon on insulator - SOI) consiste à introduire une couche isolante électriquement sous les transitors en profondeur du silicium. Cela réduit les pertes d'électrons dans le circuit, sources de consommation statique d'énergie. Le silicium « à coté » des transistors n'est plus fixé à un potentiel donné, ce qui introduit des performances intéressantes (augmentation de vitesse pour les portes CMOS complexes).

Silicium sur saphir

Dans certains cas, le substrat en silicium monocristallin est purement et simplement abandonné. L'avantage intrinsèque d'utiliser du silicium (l'arrangement des atomes de silicium sur le substrat est naturellement plus régulier) peut alors être compensé pour des applications spécialisées. C'est ainsi que le silicium sur saphir (substrat en saphir cristallin) est utilisé dans les applications où le circuit intégré sera exploité dans un environnement spatial ou soumis à d'intenses radiations qui rendraient les substrats de silicium inutilisables.

Arséniure de gallium

On réalise également des semi-conducteurs à base d'arséniure de gallium. Même si ce matériau a eu l'antériorité sur le silicium, il avait quasiment disparu de l'industrie. Aujourd'hui les avantages intrinsèques de ce matériau en termes de vitesse de commutation lui redonnent une nouvelle jeunesse dans le domaine des hautes fréquences et l'on voit réapparaître une fabrication industrielle sur la base de cette technologie.

Développements futurs

L'industrie des circuits intégrés est une de celles qui évoluent le plus rapidement de l'histoire des technologies. Elle explore continuellement de nouvelles technologies. Parmi celles qui semblent avoir un avenir prometteur il faut compter :
  • les substrats en diamant, dont on attend beaucoup en termes de refroidissement

Voir aussi


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